新能源汽车、光伏储能、高压算力设备需求持续爆发，碳化硅作为第三代半导体核心材料，外延 MOCVD 设备是决定车规级 SiC 器件良率、性能的核心装备。当前海外厂商长期垄断全球碳化硅外延设备市场，国产化攻坚迫在眉睫。依托苏州完整第三代半导体产业集群与国家级创新平台资源，本地某半导体装备企业启动 6/8 英寸碳化硅外延设备专项研发项目，攻坚高温 MOCVD 整机国产化，珏佳猎头公司独家定向寻访碳化硅外延设备研发骨干，补齐国产外延装备核心技术人才缺口。

从政策与产业数据维度看，碳化硅外延设备赛道具备长期高增长确定性。国家新材料产业目录将碳化硅外延装备列为重点攻关 “卡脖子” 设备，江苏省设立百亿级第三代半导体产业母基金，苏州出台 “成林计划” 专项扶持政策，对碳化硅设备研发项目给予最高 300 万元研发补助、首台套设备高额奖励、高端半导体人才安家补贴等多重配套支持苏州市人民...。行业数据显示，2026 年国内碳化硅外延设备市场规模接近 27 亿元，未来三年年均增速超 40%；全球两大海外厂商合计市占率超 95%，国产设备综合国产化率仅 20%-30%，下游外延厂商扩产潮下设备交付周期拉长至半年，国内 8 英寸、高压厚外延适配机型供给严重不足，进口替代空间广阔。苏州聚集衬底、外延、器件、装备全链条企业，拥有国家第三代半导体技术创新中心，是长三角碳化硅装备研发核心承载地，产业协同优势突出。

碳化硅外延设备技术壁垒极高，与传统氮化镓、硅基 MOCVD 设备无法通用，研发骨干是打通设备整机落地的关键角色。设备需长期维持 1600℃以上高温反应环境，核心攻克四大行业痛点：多区精密温控系统、腔体流场均匀性设计、高纯特种气体分配结构、耐高温耐腐蚀腔体材料匹配，微小的温度、气流偏差会直接造成外延层厚度不均、掺杂漂移、硅滴缺陷，大幅拉低车规外延片良率。成熟落地案例充分印证研发骨干的核心价值：某头部装备企业核心研发人员牵头优化碳化硅外延设备多段温控算法与气流分配盘微结构，自主改良高温合金腔体，设备上机后外延层厚度不均匀性控制在 3% 以内，满足 3kV 以上高压器件生产标准，整套腔体设计、热场仿真、工艺匹配、整机验证全流程均由研发骨干主导落地，设备实现批量对外供货，打破海外机型垄断局面。

本次苏州专项项目聚焦 6 英寸量产机型迭代、8 英寸碳化硅外延 MOCVD 整机开发，配套高温腔体仿真实验室、气体流体模拟平台、外延工艺中试验证线，规划实现国产整机批量交付下游外延工厂。寻访的碳化硅外延设备研发骨干将承担五大核心工作：一是参与碳化硅外延设备腔体、加热系统、气路分配单元结构设计，完成耐高温零部件选型与改良；二是搭建热场、流场多物理场仿真模型，优化多区温控、气流均匀性控制方案，解决外延片全域厚度、掺杂一致性难题；三是对接外延工艺团队，匹配氯基快速厚外延工艺，迭代设备软硬件控制程序；四是统筹设备样机装配、高温耐久测试、上机外延验证全流程，持续优化设备故障率与生产稳定性；五是梳理设备核心结构专利，参与构建自主可控碳化硅外延装备技术体系。

企业配套完善研发落地资源：扎根苏州第三代半导体产业园，联动中科院纳米所、本地高校材料实验室开展产学研协同；配备全套高温真空测试、流体仿真、外延片检测精密设备，设立千万级装备专项研发资金；薪酬对标国内半导体装备头部标准，配套项目股权激励、首台套研发成果分红、苏州人才落户绿色通道、住房补贴、子女教育配套等长期激励，打造稳定可持续的碳化硅装备研发平台。

珏佳猎头公司长期深耕第三代半导体装备、碳化硅衬底外延赛道，深度覆盖全国 MOCVD 整机、高温腔体、半导体工艺设备核心研发人才，过往已为多家碳化硅装备企业寻访核心技术骨干，多款国产碳化硅长晶、外延设备顺利完成客户端验证交付。本次寻访面向具备 6 年以上碳化硅外延 MOCVD 设备整机研发经验，熟悉高温腔体、温控、气路系统开发，参与过 6 英寸及以上 SiC 外延设备样机调试与上机工艺匹配，具备流体 / 热场仿真落地经验的技术人才，有 8 英寸设备开发、车规外延工艺适配经历者优先。

当下全球碳化硅产业链加速本土化，苏州依托成熟半导体产业生态，成为国产碳化硅外延装备突围核心阵地。本次专项研发直面高端外延设备进口依赖痛点，急需兼具结构设计、仿真优化、工艺匹配、设备整机验证综合能力的研发骨干，打造适配车规高压场景的自主碳化硅外延装备。有意向深耕第三代半导体国产化赛道的技术人才，可通过珏佳猎头公司对接项目完整研发规划与人才激励机制，共同抢抓碳化硅产业国产替代黄金机遇。